Vishay Intertechnologies SI7846DP-T1-E3

表面安装

YES

Housing material

nickel-plated brass

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Gross weight

5.80

Transport package size/quantity

62*27.5*28/200

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Package Description

ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8

Drain Current-Max (ID)

4 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Emitter type

dot round

Indicator type

Vandal-proof indicator GQ8 series

Nominal current

15 mA

Nominal voltage

12-24 V

Mounting diameter

8 mm

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

颜色

blue

附加功能

快速切换

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-XDSO-C5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.05 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50 A

DS 击穿电压-最小值

150 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

5.2 W

饱和电流

1