Vishay Intertechnologies SQ2319ADS-T1_GE3
- 收藏
- 对比
SQ2319ADS-T1_GE3
2668-SQ2319ADS-T1_GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor,
--最小包装量--
SQ2319ADS-T1_GE3详情
Vishay Intertechnologies SQ2319ADS-T1_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
表面安装
YES
房屋材料
Nickel-Plated Brass
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Gross Weight
5.17
Transport Packaging Size/Quantity
28*27*31/300
Emitter Type
Flat Point
Indicator Type
GQ8 Series Vandal-Proof Indicator
Teral Type
Flexible Leadsmin
Nominal Current
15 mA
Nominal Voltage
12-24 V
Mounting Diameter
8 mm
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Drain Current-Max (ID)
4.6 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
54 ns
Turn-on Time-Max (ton)
36 ns
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
颜色
Red
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236AB
漏极-源极导通最大电阻
0.075 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
18 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
8.4 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.5 W
反馈上限-最大值 (Crss)
70 pF
饱和电流
1
SQ2319ADS-T1_GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies







哦! 它是空的。