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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.897372
10
¥2.73337
100
¥2.57865
500
¥2.432689
1000
¥2.29499
Vishay Intertechnologies SI7119DN-T1-E3
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- 对比
SI7119DN-T1-E3
2668-SI7119DN-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 200V, 1.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI7119DN-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI7119DN-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
材料
Zinc alloy
质量
0.18 kg
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
Drain Current-Max (ID)
1.2 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
Gross weight
117.00
Transport packaging size/quantity
34*25*24/100
Operating ambient temperature
-25 to +60 °C
Transducer type
Threaded mounting element
Installation hole size
48
Purpose
fastening device for connecting metal conduit of MRP series to housing equipment
Protection class
IP54
Seal material
Oil-resistant rubber
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
MB series inlet adapter
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
50.9 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
S-XDSO-C5
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
Operating temperature range
-25…+60 °C
漏极-源极导通最大电阻
1.1 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
5 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
1.25 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
52 W
饱和电流
1
直径
(d1) - G 1 1/2"; through hole (D) - 48 mm; housing (D1) - 55 mm
长度
50.9 mm
SI7119DN-T1-E3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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