SI7119DN-T1-E3
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Vishay Intertechnologies SI7119DN-T1-E3

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型号

SI7119DN-T1-E3

utmel 编号

2668-SI7119DN-T1-E3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 200V, 1.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8

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SI7119DN-T1-E3
SI7119DN-T1-E3 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 200V, 1.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8

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SI7119DN-T1-E3详情

Vishay Intertechnologies SI7119DN-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 材料

    Zinc alloy

  • 质量

    0.18 kg

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8

  • Drain Current-Max (ID)

    1.2 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    SQUARE

  • Package Style

    小概要

  • Gross weight

    117.00

  • Transport packaging size/quantity

    34*25*24/100

  • Operating ambient temperature

    -25 to +60 °C

  • Transducer type

    Threaded mounting element

  • Installation hole size

    48

  • Purpose

    fastening device for connecting metal conduit of MRP series to housing equipment

  • Protection class

    IP54

  • Seal material

    Oil-resistant rubber

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    MB series inlet adapter

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    C 弯管

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 深度

    50.9 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    S-XDSO-C5

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • Operating temperature range

    -25…+60 °C

  • 漏极-源极导通最大电阻

    1.1 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    5 A

  • DS 击穿电压-最小值

    200 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    1.25 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    52 W

  • 饱和电流

    1

  • 直径

    (d1) - G 1 1/2"; through hole (D) - 48 mm; housing (D1) - 55 mm

  • 长度

    50.9 mm

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技术文档: Vishay Intertechnologies SI7119DN-T1-E3.

SI7119DN-T1-E3拓展信息

SQ2319ADS-T1_GE3
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SIHG22N60E-GE3
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SI4866DY-T1-E3
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SI2316BDS-T1-GE3
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