SI7119DN-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies SI7119DN-T1-GE3

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型号

SI7119DN-T1-GE3

utmel 编号

2668-SI7119DN-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 200V, 1.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8

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SI7119DN-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 200V, 1.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8

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SI7119DN-T1-GE3详情

Vishay Intertechnologies SI7119DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 安装类型

    Panel Mount, Flange

  • 材料

    100% polyamide

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8

  • Drain Current-Max (ID)

    1.2 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    SQUARE

  • Package Style

    小概要

  • Gross Weight

    66.50

  • Transport Package Size/Quantity

    50*33*43/80

  • Characteristics

    length - 210 mm; width - 16 mm; color yellow

  • Purpose

    assembling and fastening cable harnesses, cables

  • Maximum grip size

    50 mm

  • 包装

    50 pcs

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 终端

    Crimp, Solder Tab

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 连接器类型

    Receptacle, Male Pins

  • 类型

    Velcro Clamp 210x16 mm

  • 定位的数量

    7

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • 颜色

    yellow

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    C 弯管

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 入口保护

    IP67 - Dust Tight, Waterproof

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    S-XDSO-C5

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 连接器样式

    IEC 62196

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 过滤器类型

    Unfiltered - Commercial

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 工作温度范围

    -20…+100 °C

  • 漏极-源极导通最大电阻

    1.1 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    5 A

  • DS 击穿电压-最小值

    200 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    1.25 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    52 W

  • 容纳保险丝

  • 开关特点

    No Breaker/Switch

  • 饱和电流

    1

  • 特征

    possibility of disassembly

  • 宽度

    16 mm

  • 长度

    210 mm

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技术文档: Vishay Intertechnologies SI7119DN-T1-GE3.

SI7119DN-T1-GE3拓展信息

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