Vishay Intertechnologies SI7119DN-T1-GE3
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SI7119DN-T1-GE3
2668-SI7119DN-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 200V, 1.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
--最小包装量--
SI7119DN-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI7119DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
表面安装
YES
安装类型
Panel Mount, Flange
材料
100% polyamide
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
Drain Current-Max (ID)
1.2 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
Gross Weight
66.50
Transport Package Size/Quantity
50*33*43/80
Characteristics
length - 210 mm; width - 16 mm; color yellow
Purpose
assembling and fastening cable harnesses, cables
Maximum grip size
50 mm
包装
50 pcs
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
终端
Crimp, Solder Tab
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
Receptacle, Male Pins
类型
Velcro Clamp 210x16 mm
定位的数量
7
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
颜色
yellow
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
入口保护
IP67 - Dust Tight, Waterproof
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
S-XDSO-C5
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
连接器样式
IEC 62196
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
过滤器类型
Unfiltered - Commercial
极性/通道类型
P-CHANNEL
工作温度范围
-20…+100 °C
漏极-源极导通最大电阻
1.1 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
5 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
1.25 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
52 W
容纳保险丝
无
开关特点
No Breaker/Switch
饱和电流
1
特征
possibility of disassembly
宽度
16 mm
长度
210 mm
SI7119DN-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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