SI7149ADP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies SI7149ADP-T1-GE3

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型号

SI7149ADP-T1-GE3

utmel 编号

2668-SI7149ADP-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0052ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERPAK, SOP-8

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SI7149ADP-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0052ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERPAK, SOP-8

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SI7149ADP-T1-GE3详情

Vishay Intertechnologies SI7149ADP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    17 Weeks, 3 Days

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERPAK, SOP-8

  • Drain Current-Max (ID)

    50 A

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Gross weight

    6.71

  • Transport packaging size/quantity

    40.5*26*16.5/500

  • Switching scheme

    ON-OFF-ON, SPDT

  • Color key/ housing

    black/ black

  • Number of contacts in group/ number of groups (total contacts)

    3 / 1 (3P)

  • Key shape

    rectangle type C (concave)

  • Mounting hole size

    11.5 x 28.9 mm

  • Dielectric strength

    1500 (50 Hz, 1 min) V

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    C 弯管

  • 深度

    24.5 (housing) mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PDSO-C5

  • Contact resistance

    ≤35 mΩ

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • Insulation resistance

    ≥100 (at Uis.dс=500 V) MΩ MΩ

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • Switch type

    Key switch series RS-100-16

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • Operating temperature range

    -25…+85 °C

  • Rated current

    3 A

  • Switching voltage

    125 / 250 (AC) V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0052 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    300 A

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    31.2 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • Backlight type

    none

  • 饱和电流

    1

  • 高度

    30.8 (front plate) mm

  • 宽度

    14 (front plate) mm

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技术文档: Vishay Intertechnologies SI7149ADP-T1-GE3.

SI7149ADP-T1-GE3拓展信息

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SI4848DY-T1-E3
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