Vishay Intertechnologies SI7315DN-T1-GE3
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SI7315DN-T1-GE3
2668-SI7315DN-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 150V, 0.315ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
1最小包装量--
SI7315DN-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI7315DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks, 4 Days
触点镀层
silver
表面安装
YES
房屋材料
brass
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Cable Type
SCF-12-50, RK 50-9-35
Operating Frequency Range
7.5 GHz
Contact Material
brass
Mounting Method
cable mount
Gross Weight
55.30
Transport Packaging size/quantity
42*28*18.5/100
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Drain Current-Max (ID)
8.9 A
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
7/16 DIN plug
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
S-PDSO-C5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
绝缘电阻
10000 MOhm min
阻抗
50 Ohm
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
工作温度范围
-40…+85 °C
漏极-源极导通最大电阻
0.315 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
10 A
DS 击穿电压-最小值
150 V
雪崩能量等级(Eas)
9.8 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
饱和电流
1
防护等级
IP68
SI7315DN-T1-GE3拓展信息
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