Vishay Intertechnologies SI7370DP-T1-E3

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Type of module

IGBT

Semiconductor structure

transistor/transistor

Max. off-state voltage

1.2kV

Collector current

75A

Case

MiniSKiiP® 3

Electrical mounting

Press-Fit

Gate-emitter voltage

±20V

Pulsed collector current

225A

Mechanical mounting

screw

Gross weight

82 g

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Package Description

ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8

Drain Current-Max (ID)

9.6 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

快速切换

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

20

JESD-30代码

R-XDSO-C5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

拓扑

IGBT three-phase bridge OE output,

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.011 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

125 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

5.2 W

第二个连接器加载的位置数

for UPS,

饱和电流

1