Vishay Intertechnologies SI7454DDP-T1-GE3
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SI7454DDP-T1-GE3
2668-SI7454DDP-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
1最小包装量--
SI7454DDP-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI7454DDP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Mounting
SMD
Case - inch
1808
Case - mm
4520
Capacitors series
KGF
Gross weight
0.1 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Part Package Code
SOT
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8
Drain Current-Max (ID)
21 A
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Operating temperature
-55...125°C
容差
±20%
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.95
电容量
1nF
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-C5
电介质
X7R
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.033 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
7.2 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
饱和电流
1
Operating voltage
3kV
SI7454DDP-T1-GE3拓展信息
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