SI7658ADP-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies SI7658ADP-T1-GE3

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型号

SI7658ADP-T1-GE3

utmel 编号

2668-SI7658ADP-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

Nonstandard SMD

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 30V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8

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SI7658ADP-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 30V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8

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SI7658ADP-T1-GE3详情

Vishay Intertechnologies SI7658ADP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    非标准 SMD

  • 表面安装

    YES

  • 材料

    Polyolefin

  • 介电材料

    Paper, Metallized

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • 厂商

    KEMET

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8

  • Drain Current-Max (ID)

    36 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Shrinkage diameter

    1.0 mm

  • Diameter after shrinkage

    0.5 mm

  • Thickness after shrinkage

    0.28 mm

  • Shrinkage temperature

    +80...+120 °C

  • Gross weight

    1.90

  • Transport packaging size/quantity

    105*20*16/2000

  • 系列

    SMP255

  • 包装

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®

  • 操作温度

    -40°C ~ 125°C

  • 尺寸/尺寸

    0.500" L x 0.453" W (12.70mm x 11.50mm)

  • 容差

    ±20%

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 终端

    焊盘

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Heat shrink tube non-combustible

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 颜色

    white

  • 应用

    Automotive, EMI, RFI Suppression

  • 电容量

    0.015 µF

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    C 弯管

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-XDSO-C5

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 最小品质因数(在L-nom)

    630V

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • Operating temperature range

    -55...+125 °C

  • 采样率(每秒)

    0.272" (6.90mm)

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0028 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    80 A

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    125 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    83 W

  • Shrinkage ratio

    2:1

  • 隔离电压

    310V

  • 饱和电流

    1

  • 特征

    长寿命

  • Operating voltage

    600 V

  • 长度

    1 m

  • 评级结果

    AEC-Q200, X2

0个相似型号

技术文档: Vishay Intertechnologies SI7658ADP-T1-GE3.

SI7658ADP-T1-GE3拓展信息

SI4160DY-T1-GE3
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IRF540PBF
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SQJ418EP-T1_GE3
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IRL640
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SIR626DP-T1-RE3
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IRFL9110TRPBF
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SI4848DY-T1-E3
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