Vishay Intertechnologies SI7850DP-T1-GE3
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SI7850DP-T1-GE3
2668-SI7850DP-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWERPAK, SO-8
1最小包装量--
SI7850DP-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI7850DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks, 3 Days
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
POWERPAK, SO-8
Drain Current-Max (ID)
6.2 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
74 ns
Turn-on Time-Max (ton)
40 ns
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Mounting
SMD
Case - inch
1206
Case - mm
3216
Capacitors series
KAM
Gross weight
0.026 g
Operating temperature
-55...125°C
容差
±10%
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电容量
1µF
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-F8
资历状况
不合格
电介质
X7R
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.022 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
11 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.8 W
饱和电流
1
Operating voltage
50V
SI7850DP-T1-GE3拓展信息
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