Vishay Intertechnologies SI8499DB-T2-E1

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Package Description

1.50 X 1 MM, 0.59 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, MICRO FOOT, 6 PIN

Drain Current-Max (ID)

16 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

网格排列

Type of module

IGBT

Semiconductor structure

diode/transistor

Max. off-state voltage

1.2kV

Collector current

35A

Case

MiniSKiiP® 2

Electrical mounting

Press-Fit

Gate-emitter voltage

±20V

Pulsed collector current

105A

Mechanical mounting

screw

Gross weight

55 g

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PBGA-B6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

拓扑

boost chopper,

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.046 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20 A

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

13 W

电源

11kW

第二个连接器加载的位置数

for UPS,

饱和电流

1