Vishay Intertechnologies SI8851EDB-T2-E1
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SI8851EDB-T2-E1
2668-SI8851EDB-T2-E1
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor
1最小包装量--
SI8851EDB-T2-E1详情
Vishay Intertechnologies SI8851EDB-T2-E1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
表面安装
YES
终端数量
30
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of enclosure
multipurpose
Dimension X
208mm
Dimension Y
208mm
Dimension Z
56mm
Enclosure series
AUG
Enclosure material
aluminium
Body colour
black
Side colour
grey
Dimensions
See
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
GRID ARRAY, R-PBGA-B30
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
网格排列
ECCN 代码
EAR99
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B30
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0086 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
80 A
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
SI8851EDB-T2-E1拓展信息
Vishay Intertechnologies
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