Vishay Intertechnologies SIR668DP-T1-RE3

工厂交货时间

16 Weeks

表面安装

YES

Housing material

nickel-plated brass

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Gross weight

5.23

Transport packaging size/quantity

42.5*27.5*30.5/1500

Emitter type

point flat

Indicator type

GQ8 series vandal-proof indicator

Nominal current

15 mA

Nominal voltage

12-24 V

Mounting diameter

8 mm

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Package Description

SOP-8

Date Of Intro

2017-03-22

Drain Current-Max (ID)

95 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Turn-off Time-Max (toff)

82 ns

Turn-on Time-Max (ton)

78 ns

ECCN 代码

EAR99

颜色

green

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0048 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

61.2 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

104 W

反馈上限-最大值 (Crss)

38 pF