注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.087661
10
¥9.516661
100
¥8.977982
500
¥8.469795
1000
¥7.990373
Vishay Intertechnologies SIR846ADP-T1-GE3
- 收藏
- 对比
SIR846ADP-T1-GE3
2668-SIR846ADP-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 58.6A I(D), 100V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SIR846ADP-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SIR846ADP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
28 Weeks
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SOP-8
Drain Current-Max (ID)
58.6 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Gross weight
11.00
Transport packaging size/quantity
50*42*21/200
Inner diameter
16 mm
Maximum operating temperature
Tmax - 80°C
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-C5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0078 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
80 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
83 W
饱和电流
1
高度
5 mm
直径
25
SIR846ADP-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies






哦! 它是空的。