SIS406DN-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies SIS406DN-T1-GE3

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型号

SIS406DN-T1-GE3

utmel 编号

2668-SIS406DN-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8

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SIS406DN-T1-GE3
SIS406DN-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8

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SIS406DN-T1-GE3详情

Vishay Intertechnologies SIS406DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8

  • Drain Current-Max (ID)

    9 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    SQUARE

  • Package Style

    小概要

  • Gross Weight

    71.75

  • Transport packaging size/quantity

    80*55*36/200

  • Diameter before shrinkage

    D - 70 / d - 3x30 mm

  • Diameter after shrinkage

    D1 - 36/ d1 - 3x13 mm

  • Shrinkage temperature

    90...130 deg. C

  • Number of fingers

    3

  • Finger length

    L1 = 70 +/- 5 mm

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Heat Shrink Glove of 3ТПИ series with adhesive layer

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 颜色

    Black

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    C 弯管

  • 深度

    (L) - 210 ± 5 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    S-XDSO-C5

  • 资历状况

    不合格

  • 工作电压

    1000 V

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • Operating temperature range

    -40...+90 deg. C

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.011 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    50 A

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    20 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    3.7 W

  • 收缩率

    2:1

  • 数量

    fingers - 3 length (L1) - 70 ± 5 mm

  • 饱和电流

    1

  • 直径

    before shrinkage (D) - 70/ (d) - 3x30; after shrinkage (D1) - 36/ (d1) - 3x13 mm

  • 长度

    L = 190 +/- 5 mm

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技术文档: Vishay Intertechnologies SIS406DN-T1-GE3.

SIS406DN-T1-GE3拓展信息

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SI4848DY-T1-E3
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