Vishay Intertechnologies SIS406DN-T1-GE3
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SIS406DN-T1-GE3
2668-SIS406DN-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
--最小包装量--
SIS406DN-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SIS406DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
Drain Current-Max (ID)
9 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
Gross Weight
71.75
Transport packaging size/quantity
80*55*36/200
Diameter before shrinkage
D - 70 / d - 3x30 mm
Diameter after shrinkage
D1 - 36/ d1 - 3x13 mm
Shrinkage temperature
90...130 deg. C
Number of fingers
3
Finger length
L1 = 70 +/- 5 mm
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
Heat Shrink Glove of 3ТПИ series with adhesive layer
端子表面处理
哑光锡
颜色
Black
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
深度
(L) - 210 ± 5 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
S-XDSO-C5
资历状况
不合格
工作电压
1000 V
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
Operating temperature range
-40...+90 deg. C
漏极-源极导通最大电阻
0.011 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
20 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
3.7 W
收缩率
2:1
数量
fingers - 3 length (L1) - 70 ± 5 mm
饱和电流
1
直径
before shrinkage (D) - 70/ (d) - 3x30; after shrinkage (D1) - 36/ (d1) - 3x13 mm
长度
L = 190 +/- 5 mm
SIS406DN-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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