Vishay Intertechnologies SISA12ADN-T1-GE3

工厂交货时间

18 Weeks, 3 Days

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Type of module

IGBT

Semiconductor structure

transistor/transistor

Max. off-state voltage

1.2kV

Collector current

75A

Case

MiniSKiiP® 3

Electrical mounting

Press-Fit

Gate-emitter voltage

±20V

Pulsed collector current

150A

Mechanical mounting

screw

Gross weight

82 g

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Drain Current-Max (ID)

25 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

SQUARE

Package Style

小概要

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

S-PDSO-C5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

拓扑

IGBT three-phase bridge,

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0043 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

11 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

28 W

第二个连接器加载的位置数

for UPS,