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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥14.892064
10
¥14.049116
100
¥13.253881
500
¥12.503665
1000
¥11.795913
Vishay Intertechnologies SQD30N05-20L_GE3
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- 对比
SQD30N05-20L_GE3
2668-SQD30N05-20L_GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SQD30N05-20L_GE3详情
Vishay Intertechnologies SQD30N05-20L_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
表面安装
YES
质量
1 kg
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Gross weight
1023.33
Transport packaging size/quantity
36*21*15/30
Analog
POS40
Melting temperature
183...240 °C
Soldering temperature
285...330 °C
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)
30 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
包装
coil
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
Soft lead-tin solder Sn/Pb with flux
端子表面处理
哑光锡
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
漏极-源极导通最大电阻
0.02 Ω
设计
tube
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
120 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
20 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
饱和电流
1
直径
0.8 mm
SQD30N05-20L_GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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