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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥16.434435
10
¥15.504183
100
¥14.626591
500
¥13.798666
1000
¥13.017615
Vishay Intertechnologies SQJ402EP-T1-GE3
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- 对比
SQJ402EP-T1-GE3
2668-SQJ402EP-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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POWER, FET
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¥
总价: ¥
SQJ402EP-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SQJ402EP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
材料
aluminium
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of heatsink
extruded
Heatsink shape
U
Colour
black
Material finishing
anodized
Mounting
for back plate
Plate thickness
4mm
Gross weight
700 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Drain Current-Max (ID)
32 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSSO-G4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.011 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
75 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
48 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
第二个连接器加载的位置数
universal
长度
37.5mm
宽度
97mm
高度
25mm
SQJ402EP-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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