SQJ459EP-T1_GE3
SQJ459EP-T1_GE3

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Vishay Intertechnologies SQJ459EP-T1_GE3

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型号

SQJ459EP-T1_GE3

utmel 编号

2668-SQJ459EP-T1_GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SO-8L, 4 PIN

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SQJ459EP-T1_GE3
SQJ459EP-T1_GE3 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SO-8L, 4 PIN

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SQJ459EP-T1_GE3详情

Vishay Intertechnologies SQJ459EP-T1_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    18 Weeks, 3 Days

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Transport packaging size/quantity

    48*32*27/500

  • Noal resistance

    22 kOhmin

  • Wear resistance

    10000 cycles

  • Permissible deviation

    20 %

  • Nominal power dissipation

    2 W

  • Maximum operating voltage

    250 V

  • Noise level

    47 mV

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SO-8L, 4 PIN

  • Drain Current-Max (ID)

    52 A

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Gross weight

    21.60

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Rotary potentiometer

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G4

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • Insulation resistance

    100 MOhm min

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • Operating temperature range

    -10…+80 °C

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.018 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    200 A

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    80 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • Rotation angle

    260 ±10 °

0个相似型号

技术文档: Vishay Intertechnologies SQJ459EP-T1_GE3.

SQJ459EP-T1_GE3拓展信息

SQ2319ADS-T1_GE3
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Vishay Intertechnologies

SIHG22N60E-GE3
SIHG22N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

SI4866DY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

SIHG33N60E-GE3
SIHG33N60E-GE3

Vishay Intertechnologies

IRFP064PBF
IRFP064PBF

Vishay Intertechnologies

SI1013R-T1-GE3
SI1013R-T1-GE3

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SUP40012EL-GE3
SUP40012EL-GE3

Vishay Intertechnologies

SI7112DN-T1-GE3
SI7112DN-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IRFB9N60APBF
IRFB9N60APBF

Vishay Intertechnologies

SI2316BDS-T1-GE3
SI2316BDS-T1-GE3

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