Vishay Intertechnologies SQS484ENW-T1_GE3

工厂交货时间

25 Weeks

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Drain Current-Max (ID)

16 A

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

SQUARE

Package Style

小概要

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

S-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0105 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

64 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

31.2 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

饱和电流

1