Vishay Intertechnologies SQSA80ENW-T1_GE3

工厂交货时间

25 Weeks

表面安装

YES

Housing material

nickel-plated brass

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Mounting diameter

6 mm

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Package Description

SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5

Drain Current-Max (ID)

18 A

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

SQUARE

Package Style

小概要

Gross weight

3.48

Transport packaging size/quantity

28*27*31/500

Emitter type

point flat

Indicator type

Vandal-proof indicator series GQ6

Teral type

2Pmin

ECCN 代码

EAR99

颜色

red

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

S-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

Rated current

15 mA

漏极-源极导通最大电阻

0.027 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72 A

DS 击穿电压-最小值

80 V

雪崩能量等级（Eas）

24.2 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Rated voltage

12-24 V