SUD50P06-15L-E3
SUD50P06-15L-E3

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Vishay Intertechnologies SUD50P06-15L-E3

  • 收藏
  • 对比

型号

SUD50P06-15L-E3

utmel 编号

2668-SUD50P06-15L-E3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
SUD50P06-15L-E3
SUD50P06-15L-E3 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

请发送询价,我们将立即回复。

库存:12000

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

SUD50P06-15L-E3详情

Vishay Intertechnologies SUD50P06-15L-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks, 4 Days

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

  • Drain Current-Max (ID)

    50 A

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Gross weight

    500.00

  • Transport packaging size/quantity

    61.5*42*44/5

  • Working load

    60 g -150 g

  • Working temperature

    -20°C - 65°C

  • Diagonal

    15 inches

  • Life span

    1 million touches

  • Transmittance coefficient (transparency)

    >75%

  • Surface hardness

    >3H

  • 系列

    R-GAGE® K50R

  • 包装

    Box

  • 操作温度

    -40°C ~ 60°C

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    X:360Ω-880 Ω Y:200 Ω-500 Ω

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 输出类型

    NPN, PNP

  • Working voltage

    10 V

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • Response time

    <10 milliseconds

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-252

  • 传感器类型

    雷达传感器

  • 线性

    <1.5%

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.015 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    80 A

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    136 W

  • 饱和电流

    1

  • 高度

    247 mm

  • 宽度

    322 mm

0个相似型号

技术文档: Vishay Intertechnologies SUD50P06-15L-E3.

SUD50P06-15L-E3拓展信息

SI4160DY-T1-GE3
SI4160DY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IRF540PBF
IRF540PBF

Vishay Intertechnologies

SQJ418EP-T1_GE3
SQJ418EP-T1_GE3

Vishay Intertechnologies

IRL640
IRL640

Vishay Intertechnologies

SIR626DP-T1-RE3
SIR626DP-T1-RE3

Vishay Intertechnologies

SI2318DS-T1-GE3
SI2318DS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

SQ1470AEH-T1_GE3
SQ1470AEH-T1_GE3

Vishay Intertechnologies

SIUD403ED-T1-GE3
SIUD403ED-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IRFL9110TRPBF
IRFL9110TRPBF

Vishay Intertechnologies

SI4848DY-T1-E3
SI4848DY-T1-E3

Vishay Intertechnologies

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z