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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.835469
10
¥9.278745
100
¥8.753533
500
¥8.25805
1000
¥7.790613
Vishay Intertechnologies SUD50P08-25L-E3
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- 对比
SUD50P08-25L-E3
2668-SUD50P08-25L-E3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 80V, 0.0252ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SUD50P08-25L-E3详情
Vishay Intertechnologies SUD50P08-25L-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Drain Current-Max (ID)
50 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
310 ns
Turn-on Time-Max (ton)
65 ns
JESD-609代码
e3
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
漏极-源极导通最大电阻
0.0252 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40 A
DS 击穿电压-最小值
80 V
雪崩能量等级(Eas)
101 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
136 W
反馈上限-最大值 (Crss)
235 pF
饱和电流
1
SUD50P08-25L-E3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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