Vishay Intertechnologies SUD50P10-43L-GE3
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SUD50P10-43L-GE3
2668-SUD50P10-43L-GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 36.4A I(D), 100V, 0.043ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2
--最小包装量--
SUD50P10-43L-GE3详情
Vishay Intertechnologies SUD50P10-43L-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
表面安装
YES
材料
polyester and polyolefin
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
DPAK-3/2
Drain Current-Max (ID)
36.4 A
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Gross weight
25.76
Transport packaging size/quantity
102*20*20/297
Diameter before shrinkage
20 ±2 mm
Diameter after shrinkage
10 mm
Operating temperature range °C
-40...+150
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
thermoshrinkable braid
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻
0.043 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
61 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Shrink temperature
135 °C
饱和电流
1
Shrink ratio
2 : 1
长度
1 m
SUD50P10-43L-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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