W987D6HBGX6E
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Winbond Electronics W987D6HBGX6E

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型号

W987D6HBGX6E

utmel 编号

2736-W987D6HBGX6E

商品类别

存储器

封装

54-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128M-Bit 8Mx16 1.8V 54-Pin VFBGA

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W987D6HBGX6E Winbond Electronics DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128M-Bit 8Mx16 1.8V 54-Pin VFBGA

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W987D6HBGX6E详情

Winbond Electronics W987D6HBGX6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    54-TFBGA

  • 表面安装

    YES

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    -25°C~85°C TC

  • 包装

    Tray

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    54

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • 电压 - 供电

    1.7V~1.95V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    1.8V

  • 端子间距

    0.8mm

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B54

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.95V

  • 电源

    1.8V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7V

  • 内存大小

    128Mb 8M x 16

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    166MHz

  • 访问时间

    5.4ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    8MX16

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    16

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    15ns

  • 待机电流-最大值

    0.00001A

  • 记忆密度

    134217728 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 刷新周期

    4096

  • 顺序突发长度

    1248FP

  • 交错突发长度

    1248

  • 长度

    9mm

  • 座位高度(最大)

    1.025mm

  • 宽度

    8mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Winbond Electronics W987D6HBGX6E.

右边的3个型号有着和Winbond Electronics & W987D6HBGX6E相似的参数规格。

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W987D6HBGX6E拓展信息

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