IRFH4257DTRPBF
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Infineon Technologies IRFH4257DTRPBF

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型号

IRFH4257DTRPBF

utmel 编号

1211-IRFH4257DTRPBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerVDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN

起订量

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IRFH4257DTRPBF
IRFH4257DTRPBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN

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IRFH4257DTRPBF详情

Infineon Technologies IRFH4257DTRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerVDFN

  • 引脚数

    8

  • Turn Off Delay Time

    20 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    2014

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    28W

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 通道数量

    2

  • 元素配置

    Dual

  • 接通延迟时间

    12 ns

  • 功率 - 最大

    25W 28W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.4m Ω @ 25A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.1V @ 35μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1321pF @ 13V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    15nC @ 4.5V

  • 上升时间

    51ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    25V

  • 下降时间(典型值)

    25 ns

  • 连续放电电流(ID)

    25A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和Infineon Technologies & IRFH4257DTRPBF相似的参数规格。

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