APTC90AM60T1G详情
Microchip APTC90AM60T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP1
底架
Chassis Mount, Screw
引脚数
1
供应商器件包装
SP1
Package
Tray
Base Product Number
APTC90
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
59A
厂商
微芯片技术
Product Status
Obsolete
Number of Elements
2
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
400 ns
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
系列
CoolMOS™
包装
Bulk
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-40 °C
最大功率耗散
462 W
技术
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Half Bridge)
接通延迟时间
70 ns
功率 - 最大
462W
Rds On(Max)@Id,Vgs
60mOhm @ 52A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 6mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
13600pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
540nC @ 10V
上升时间
20 ns
漏源电压 (Vdss)
900V
连续放电电流(ID)
59 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
输入电容
13.6 nF
场效应管特性
超级交界处
最大rds
60 mΩ
辐射硬化
无
APTC90AM60T1G拓展信息
Microchip Technology
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