Microchip APTM50H14FT3G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

供应商器件包装

SP3

Package

Strip

厂商

SiTime

Product Status

活跃

Continuous Drain Current Id

26

Base Product Number

APTM50

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

26A

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Typical Turn-On Delay Time

10 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Pd - Power Dissipation

208 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Tradename

POWER MOS 7

Rds On - Drain-Source Resistance

140 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

50 ns

Id - Continuous Drain Current

26 A

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

SiT8208

包装

Tube

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

类型

XO (Standard)

子类别

Discrete Semiconductor Modules

技术

MOSFET (Metal Oxide)

电压 - 供电

2.5V

频率

7.3728 MHz

频率稳定性

±20ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

功能

Standby (Power Down)

基本谐振器

MEMS

最大电流源

33mA

配置

4 N-Channel (Half Bridge)

通道数量

1 Channel

功率耗散

208

扩频带宽

-

功率 - 最大

208W

Rds On(Max)@Id,Vgs

168mOhm @ 13A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3259pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

72nC @ 10V

上升时间

17 ns

漏源电压 (Vdss)

500V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

信道型

Dual N

绝对牵引范围 (APR)

-

场效应管特性

-

产品

功率MOSFET模块

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

座位高度(最大)

0.031 (0.80mm)

宽度

40.8 mm

高度

11.5 mm

长度

73.4 mm

评级结果

-