参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP6
表面安装
NO
供应商器件包装
SP6-P
材料
Polyester
终端数量
23
晶体管元件材料
碳化硅
包装数量
1
Continuous Drain Current Id
147
Package
Bulk
Base Product Number
APTMC120
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
147A (Tc)
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
RoHS
Details
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
UNSPECIFIED
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
APTMC120TAM17CTPAG
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
6
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.76
Drain Current-Max (ID)
147 A
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Tube
ECCN 代码
EAR99
颜色
Black
子类别
Discrete Semiconductor Modules
技术
Silicon Carbide (SiC)
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-XUFM-X23
配置
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
625
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
625W
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
17mOhm @ 100A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 20mA (Typ)
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5600pF @ 1000V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
322nC @ 20V
漏源电压 (Vdss)
1200V (1.2kV)
极性/通道类型
N-CHANNEL
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
最大漏极电流 (Abs) (ID)
147 A
漏极-源极导通最大电阻
0.017 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
300 A
DS 击穿电压-最小值
1200 V
信道型
Dual N
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
625 W
场效应管特性
-
总长度
15.2 m
产品类别
Discrete Semiconductor Modules