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内地含税价

1

￥5178.255808
10

￥4885.146987
100

￥4608.629234
500

￥4347.763432
1000

￥4101.663609

Microchip Technology MSCSM120TLM08CAG

Name: MSCSM120TLM08CAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 1610-MSCSM120TLM08CAG
Price: 5178.26 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MSCSM120TLM08CAG

品牌

Microchip Technology

utmel 编号

1610-MSCSM120TLM08CAG

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

封装

Module

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

起订量

--最小包装量--

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MSCSM120TLM08CAG Microchip Technology PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

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MSCSM120TLM08CAG详情

技术参数

Microchip Technology MSCSM120TLM08CAG重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

底座安装
包装/外壳

Module
供应商器件包装

SP6C
厂商

微芯片技术
Package

Bulk
Product Status

活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

333A (Tc)
Base Product Number

MSCSM120
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1
Manufacturer

Microchip
Brand

Microchip Technology / Atmel
系列

-
操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)
子类别

Discrete Semiconductor Modules
功率 - 最大

1378W (Tc)
场效应管类型

4 N-Channel (Three Level Inverter)
Rds On(Max)@Id,Vgs

7.8mOhm @ 80A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 4mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

12000pF @ 1000V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

928nC @ 20V
漏源电压 (Vdss)

1200V (1.2kV)
产品类别

Discrete Semiconductor Modules
场效应管特性

Silicon Carbide (SiC)
产品类别

Discrete Semiconductor Modules

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MSCSM120TLM08CAG拓展信息

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