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1

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10

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500

￥5.842213
1000

￥5.511517

Nexperia USA Inc. BCM857BV,115

Name: BCM857BV,115
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1729-BCM857BV,115
Price: 6.96 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BCM857BV,115

品牌

Nexperia USA Inc.

utmel 编号

1729-BCM857BV,115

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT666

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BCM857BV,115 Nexperia USA Inc. TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT666

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BCM857BV,115详情

技术参数

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Nexperia USA Inc. BCM857BV,115重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

4 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SOT-563, SOT-666
引脚数

6
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V
Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV
Number of Elements

2
hFEMin

200
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2006
JESD-609代码

e3
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

6
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

300mW
终端形式

FLAT
频率

175MHz
基本部件号

BCM857
引脚数量

6
极性

PNP
元素配置

Dual
功率耗散

300mW
晶体管应用

AMPLIFIER
增益带宽积

175MHz
晶体管类型

2 PNP (Dual) Matched Pair
集电极发射器电压(VCEO)

45V
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流

15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 100mA
转换频率

175MHz
最大击穿电压

45V
集电极基极电压(VCBO)

50V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
高度

600μm
长度

1.7mm
宽度

1.3mm
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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BCM857BV,115拓展信息

热销零件