Nexperia USA Inc. BCM857BV,115

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Number of Elements

2

hFEMin

200

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

300mW

终端形式

FLAT

频率

175MHz

基本部件号

BCM857

引脚数量

6

极性

PNP

元素配置

Dual

功率耗散

300mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

175MHz

晶体管类型

2 PNP (Dual) Matched Pair

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 100mA

转换频率

175MHz

最大击穿电压

45V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

600μm

长度

1.7mm

宽度

1.3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅