Nexperia USA Inc. BSH111BKR

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

210mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

302mW Ta

Turn Off Delay Time

12.6 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.3V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

302mW

接通延迟时间

8.3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4 Ω @ 200mA, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

30pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.5nC @ 4.5V

上升时间

8.4ns

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

4.8 ns

连续放电电流(ID)

210mA

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏极-源极导通最大电阻

4Ohm

漏源击穿电压

55V

最大结点温度（Tj）

150°C

环境温度范围高

150°C

反馈上限-最大值 (Crss)

7 pF

高度

1.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅