ROHM Semiconductor ES6U2T2R

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

700mW Ta

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

附加功能

防静电

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

180m Ω @ 1.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

110pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.8nC @ 4.5V

上升时间

5ns

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

1.5A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏极-源极导通最大电阻

0.24Ohm

漏源击穿电压

20V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅