ROHM Semiconductor R6006ANDTL

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3

引脚数

3

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

50 ns

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

40W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

22 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

36ns

漏源电压 (Vdss)

600V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

35 ns

连续放电电流(ID)

6A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

输入电容

460pF

雪崩能量等级（Eas）

2.4 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

900mOhm

最大rds

1.2 Ω

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant