STMicroelectronics BULB49DT4

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

450V

Number of Elements

1

hFEMin

10

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

80W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

BULB49

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

80W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

450V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

4 @ 7A 10V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 800mA, 4A

集电极基极电压(VCBO)

850V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant