STMicroelectronics STGP19NC60W

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

390V, 12A, 10 Ω, 15V

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

最大功率耗散

130W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STGP19

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

130W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

40A

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

33 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 12A

关断时间-标准值（toff)

204 ns

闸门收费

53nC

Td（开/关）@25°C

25ns/90ns

开关能量

81μJ (on), 125μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.75V

RoHS状态

ROHS3 Compliant