STMicroelectronics STGW30NC60VD

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Number of Elements

1

Test Conditions

390V, 20A, 3.3 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

250W

基本部件号

STGW30

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

250W

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

上升时间

11ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

80A

反向恢复时间

44ns

接通时间

42.5 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

280 ns

闸门收费

100nC

集极脉冲电流（Icm）

150A

Td（开/关）@25°C

31ns/100ns

开关能量

220μJ (on), 330μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.75V

高度

21.07mm

长度

16.02mm

宽度

5.15mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant