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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥58.689429
10
¥55.367385
100
¥52.233384
500
¥49.276773
1000
¥46.487522
STMicroelectronics STGW80H65DFB-4
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STGW80H65DFB-4
2381-STGW80H65DFB-4
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-4
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IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGW80H65DFB-4详情
STMicroelectronics STGW80H65DFB-4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-4
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Test Conditions
400V, 80A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
469W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STGW80
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
469W
集电极发射器电压(VCEO)
2V
最大集电极电流
120A
反向恢复时间
85 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 80A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
414nC
集极脉冲电流(Icm)
240A
Td(开/关)@25°C
84ns/280ns
开关能量
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STGW80H65DFB-4拓展信息
STMicroelectronics
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