Texas Instruments CSD25484F4

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 8V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Turn Off Delay Time

18 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

FemtoFET™

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

基本部件号

CSD25484

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9.5 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

94m Ω @ 500mA, 8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

230pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.42nC @ 4.5V

上升时间

5ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

-12V

下降时间（典型值）

8.5 ns

连续放电电流(ID)

2.5A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.18Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

反馈上限-最大值 (Crss)

7.2 pF

长度

1.035mm

宽度

635μm

器件厚度

200μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅