Texas Instruments CSD85301Q2T

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

引脚数

6

质量

9.695537mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

14 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

2.3W

终端形式

无铅

基本部件号

CSD85301

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

27m Ω @ 5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

469pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.4nC @ 4.5V

上升时间

26ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

5A

阈值电压

900mV

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏极-源极导通最大电阻

0.039Ohm

漏源击穿电压

20V

雪崩能量等级（Eas）

3.8 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 5V Drive

长度

2mm

宽度

2mm

器件厚度

750μm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅