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1

￥0.433519
500

￥0.318763
1000

￥0.265636
2000

￥0.243701
5000

￥0.227763
10000

￥0.211872
15000

￥0.204904
50000

￥0.201476

Vishay SI2304DDS-T1-GE3

Name: SI2304DDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 2668-SI2304DDS-T1-GE3
Price: 0.43 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SI2304DDS-T1-GE3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SI2304DDS-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Single N-Channel 30 V 0.06 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3

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SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Single N-Channel 30 V 0.06 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3

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SI2304DDS-T1-GE3详情

技术参数

Vishay SI2304DDS-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
触点镀层

Tin
底架

表面贴装
引脚数

3
质量

1.437803 g
Case/Package

SOT-23
Fall Time

22 ns
Number of Elements

1
RoHS

Compliant
Schedule B

8541290080, 8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
Turn Off Delay Time

12 ns
电阻

60 mΩ
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

200 mW
通道数量

1
元素配置

Single
功率耗散

1.1 W
接通延迟时间

12 ns
上升时间

50 ns
漏源电压 (Vdss)

30 V
连续放电电流(ID)

3.6 A
阈值电压

2.2 V
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
漏源击穿电压

30 V
输入电容

35 pF
漏源电阻

49 mΩ
最大rds

850 mΩ
栅源电压

2.2 V
辐射硬化

无
达到SVHC

无SVHC
无铅

无铅

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