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价格梯度

内地含税价

1

￥0.502881
500

￥0.369768
1000

￥0.308137
2000

￥0.282693
5000

￥0.264202
10000

￥0.245765
15000

￥0.237686
50000

￥0.233713

Vishay SI2347DS-T1-GE3

Name: SI2347DS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 2668-SI2347DS-T1-GE3
Price: 0.5 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SI2347DS-T1-GE3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SI2347DS-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

P-Channel 30 V 42 mOhm 22 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3

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SI2347DS-T1-GE3 Vishay P-Channel 30 V 42 mOhm 22 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3

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SI2347DS-T1-GE3详情

技术参数

Vishay SI2347DS-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
触点镀层

Tin
底架

表面贴装
引脚数

3
Case/Package

SOT-23
Fall Time

9 ns
Number of Elements

1
RoHS

Compliant
Schedule B

8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
Turn Off Delay Time

19 ns
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

1.7 W
通道数量

1
元素配置

Single
功率耗散

1.7 W
上升时间

6 ns
漏源电压 (Vdss)

-30 V
连续放电电流(ID)

5 A
阈值电压

-2.5 V
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
漏源击穿电压

-30 V
输入电容

705 pF
最大结点温度（Tj）

150 °C
最大rds

42 mΩ
高度

1.12 mm
辐射硬化

无
达到SVHC

无SVHC
无铅

无铅

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SI2347DS-T1-GE3拓展信息

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