SISA12DN-T1-GE3
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Vishay SISA12DN-T1-GE3

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型号

SISA12DN-T1-GE3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SISA12DN-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

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SISA12DN-T1-GE3详情

Vishay SISA12DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    8

  • Fall Time

    20 ns

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    45 ns

  • 电阻

    3.2 mΩ

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    28 W

  • 通道数量

    2

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    28 W

  • 接通延迟时间

    40 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30 V

  • 连续放电电流(ID)

    25 A

  • 阈值电压

    1.5 V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    2.2 V

  • 漏源击穿电压

    30 V

  • 输入电容

    2.07 nF

  • 漏源电阻

    4.3 mΩ

  • 最大rds

    4.3 mΩ

  • 高度

    1.0668 mm

  • 长度

    3.1496 mm

  • 宽度

    3.1496 mm

  • 达到SVHC

    Unknown

0个相似型号

SISA12DN-T1-GE3拓展信息

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