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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.679199
10
¥2.527545
100
¥2.384479
500
¥2.249506
1000
¥2.122178
Vishay Intertechnologies IRF640PBF
- 收藏
- 对比
IRF640PBF
2668-IRF640PBF
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRF640PBF详情
Vishay Intertechnologies IRF640PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks, 3 Days
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Part Package Code
TO-220AB
Package Description
ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Drain Current-Max (ID)
18 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
雪崩 额定
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.18 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
72 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
580 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
125 W
IRF640PBF拓展信息
Vishay Intertechnologies
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