IRF644PBF
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Vishay Intertechnologies IRF644PBF

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型号

IRF644PBF

utmel 编号

2668-IRF644PBF

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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IRF644PBF Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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IRF644PBF详情

Vishay Intertechnologies IRF644PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 表面安装

    NO

  • 房屋材料

    PA66 UL94V-0

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • Drain Current-Max (ID)

    14 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Gross Weight

    7.00

  • Transport Package Size/Quantity

    41*35*35/2000

  • Name

    Clamp-Terminal RST type 2-contact 1-wire, DIN rail

  • Mounting Method

    on DIN rail

  • Maximum Current

    24 A

  • Dielectric Strength

    2000 (50 Hz, 1 min.) V

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 深度

    47.6 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 工作温度范围

    -40…+105 °C

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.28 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    56 A

  • DS 击穿电压-最小值

    250 V

  • 导线截面

    0.08...2.5 (4.0 for multi-stranded wire) mm2

  • 雪崩能量等级(Eas)

    550 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    125 W

  • 饱和电流

    1

  • 高度

    31.4 mm

  • 宽度

    8 mm

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IRF644PBF拓展信息

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