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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.111328
10
¥2.935216
100
¥2.769075
500
¥2.612329
1000
¥2.464462
Vishay Intertechnologies IRF830APBF
- 收藏
- 对比
IRF830APBF
2668-IRF830APBF
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRF830APBF详情
Vishay Intertechnologies IRF830APBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
9 Weeks, 3 Days
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Mounting
SMD
Case - inch
1206
Case - mm
3216
Capacitors series
KAM
Gross weight
0.026 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
5 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Operating temperature
-55...125°C
容差
±10%
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
电容量
10µF
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
电介质
X7R
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
1.4 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
雪崩能量等级(Eas)
230 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
74 W
反馈上限-最大值 (Crss)
4.3 pF
Operating voltage
16V
IRF830APBF拓展信息
Vishay Intertechnologies
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