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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.304813
10
¥3.11775
100
¥2.941276
500
¥2.774785
1000
¥2.61772
Vishay Intertechnologies IRFBC30PBF
- 收藏
- 对比
IRFBC30PBF
2668-IRFBC30PBF
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRFBC30PBF详情
Vishay Intertechnologies IRFBC30PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Case - inch
0201
Case - mm
0603
Capacitors series
GCQ
Gross weight
0.03 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
3.6 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Mounting
SMD
Capacitance tolerance
±0.05pF
Kind of capacitor
MLCC
Type of capacitor
ceramic
Operating temperature
-55...125°C
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
电容量
7.8pF
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
电介质
C0G (NP0)
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
2.2 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
14 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
290 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
74 W
Operating voltage
50V
IRFBC30PBF拓展信息
Vishay Intertechnologies
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