IRFBC30PBF
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Vishay Intertechnologies IRFBC30PBF

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型号

IRFBC30PBF

utmel 编号

2668-IRFBC30PBF

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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IRFBC30PBF
IRFBC30PBF Vishay Intertechnologies Description: Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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IRFBC30PBF详情

Vishay Intertechnologies IRFBC30PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Case - inch

    0201

  • Case - mm

    0603

  • Capacitors series

    GCQ

  • Gross weight

    0.03 g

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    生命周期结束

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • Drain Current-Max (ID)

    3.6 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Mounting

    SMD

  • Capacitance tolerance

    ±0.05pF

  • Kind of capacitor

    MLCC

  • Type of capacitor

    ceramic

  • Operating temperature

    -55...125°C

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 电容量

    7.8pF

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 电介质

    C0G (NP0)

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    2.2 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    14 A

  • DS 击穿电压-最小值

    600 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    290 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    74 W

  • Operating voltage

    50V

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技术文档: Vishay Intertechnologies IRFBC30PBF.

IRFBC30PBF拓展信息

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